國(guó)外存儲(chǔ)專家Sebastien Jean談及了PCIe Gen5、PCIe Gen 6甚至PCIe Gen 7標(biāo)準(zhǔn)的主控芯片，以及新一代SSD的一些細(xì)節(jié)。

某知名品牌基于PCIe Gen5標(biāo)準(zhǔn)的SSD將會(huì)在明年向客戶發(fā)貨，雖然一般新款SSD的設(shè)計(jì)周期大約在16到18個(gè)月，但新的工藝節(jié)點(diǎn)和技術(shù)啟用要提前兩到三年開始。目前已有廠商開始了基于PCIe Gen 6標(biāo)準(zhǔn)SSD的相關(guān)底層設(shè)計(jì)，實(shí)際產(chǎn)品大概大概會(huì)在2025年到2026年出現(xiàn)。

雖然基于PCIe Gen5標(biāo)準(zhǔn)的SSD可以提供最多14 GBps的數(shù)據(jù)傳輸速率，與DDR4-2133相當(dāng)，但不意味著SSD可以取代傳統(tǒng)的內(nèi)存解決方案，不過可以與現(xiàn)有的內(nèi)存體系結(jié)合，充當(dāng)L4緩存的角色。目前的CPU一般都具備L1、L2和L3緩存，專家認(rèn)為在類似的設(shè)計(jì)架構(gòu)里，基于PCIe Gen5或更高標(biāo)準(zhǔn)的SSD，將可以作為L(zhǎng)4緩存運(yùn)行。同時(shí)，微軟Direct Storage API等技術(shù)將在消費(fèi)平臺(tái)上，可以更好地利用下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)。

未來SSD的速度和存儲(chǔ)密度講進(jìn)一步提高，更高的NAND閃存密度不但可以降低產(chǎn)品的價(jià)格，還使得存儲(chǔ)產(chǎn)品在尺寸上的限制更少。此外，下一次重大升級(jí)很有可能是減少通道數(shù)量，比如將PCIe Gen 5/6 x4變成PCIe Gen 7 x2。群聯(lián)電子表示，TLC仍然會(huì)繼續(xù)發(fā)展，QLC雖然寫入速度方面并不是特別好，但讀取速度有其優(yōu)勢(shì)，或者會(huì)有一些特殊的應(yīng)用。

在工業(yè)級(jí)應(yīng)用方面，Agrade是一個(gè)有17年歷史的工業(yè)存儲(chǔ)品牌。其明星產(chǎn)品工業(yè)級(jí)M.2 NVMe SSD PE50，采用 PCIe Gen3 x4接口，讀取速度：3200MB/s 寫入速度：2800MB/s。

目前專家建議制造商為基于PCIe Gen4標(biāo)準(zhǔn)的SSD配備散熱器，到了PCIe Gen5標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，這是必須的。在下一代SSD上，用戶可能會(huì)看到配備主動(dòng)散熱設(shè)備的解決方案，這是因?yàn)楦叩墓膶?dǎo)致更多的熱量輸出。PCIe Gen5標(biāo)準(zhǔn)SSD的TDP是14W，到了PCIe Gen6標(biāo)準(zhǔn)的SSD，TDP將提高到28W，這將是未來SSD將要面臨的主要挑戰(zhàn)。

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